半導體光刻設備市場規(guī)模及份額

全球電子設備市場持續(xù)擴大，支撐其的半導體產(chǎn)業(yè)變得越來越重要。盡管2019年全球半導體市場經(jīng)歷了負增長，但盡管過去經(jīng)歷過雷曼沖擊，但仍持續(xù)擴張。近年來，存儲器的技術(shù)發(fā)展從微型化轉(zhuǎn)向3D技術(shù)，刻蝕技術(shù)的重要性日益增加。

截至2018年，半導體光刻設備的市場規(guī)模為10852億日元。

按消費地區(qū)劃分，韓國以 36% 排名di一，其次是中國臺灣地區(qū)（19%），第三位是中國大陸（18%），第四位是美國（14%），第五位是日本（7%）。半導體光刻設備廠商按國籍劃分的市場fen e （2018年）為歐洲（84%）、日本（14%）和美國（2%），其中歐洲和日本幾乎形成寡頭壟斷。

關(guān)于EUV曝光設備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫）曝光設備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長光的半導體曝光設備。可以加工使用ArF準分子激光的傳統(tǒng)曝光設備難以加工的更精細尺寸。

半導體小型化正在按照摩爾定律進展（半導體集成電路的集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過稱為步進器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長和浸沒式曝光技術(shù)的開發(fā)，分辨率已得到顯著提高。

小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。

　R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長，NA為曝光光學系統(tǒng)的數(shù)值孔徑

通過各種技術(shù)的發(fā)展，通過減小k、減小λ和增大NA來實現(xiàn)小型化。

EUV曝光設備是一種可以通過縮短曝光波長來突破以往限制的技術(shù)，近年來已開始量產(chǎn)。